Si加工ではまず最初に繰り返し周波数による加工結果の違いを比較しました。オーバーラップ率を50%とするためにレーザーの繰り返し周波数とスキャンスピードの条件は以下の通りで行いました。なお、今回はこのレーザーの特徴が生かせる50kHzを基本として条件を振ることにしました。
[図11] 繰り返し周波数:100kHz
デューティー:50%
加工点での出力:3.2W
パルスエネルギー:0.032mJ
パルス幅:32nsec
スキャンスピード:1000mm/sec
[図12] 繰り返し周波数: 50kHz
デューティー:50%
加工点での出力:3.8W
パルスエネルギー:0.076mJ
パルス幅:17nsec
スキャンスピード:500mm/sec
[図13] 繰り返し周波数: 20kHz
デューティー:50%
加工点での出力:3.5W
パルスエネルギー:0.175mJ
パルス幅:10nsec
スキャンスピード:200mm/sec
デューティーを調整してパルスエネルギーを同じにすると単純に加工速度の違いによる比較が行えますが、今回はパルスエネルギーの違いによる加工結果の違いを観察することにしました。
それぞれの加工結果の顕微鏡写真を見るとそれぞれ違いがあることが見てとれます。ただ、どれも閾値を大きく超えた必要以上のエネルギーのためエッジには黒いデブリが発生しているのでわかりにくいですが、パルスエネルギーの大きい方が加工幅が広く深く加工されています。これは素直な結果といえると思います。 |

[図11] 繰り返し周波数100kHz

[図12]繰り返し周波数50kHz

[図13]繰り返し周波数20kHz |